УНЧ "развернутый", нужно мнение

Ну если звучат лучше, то будь по-твоему).

А если первую пару тройки к питанию УН - получиться тройка, спокойная как двойка...

Много цифер в названии, вот и пропустил. Скажи спасибо что не так: "...заменив транзисторы в усилителе, он зазвучал прозрачнее.." Сплошь и рядом оно.

а по другому и никак. Это аксиома!
Только это к спокойствию не имеет отношения. Повторители возбуждаются, особенно если сигналу к ним "далеко бежать"

и чтоб их устаканить приходится ставить сопротивления в базы. А это добавка к искажениям.
Мотороллы спокойно обходятся без сопротивлений, а вот высокочастотным нужно по 5-10 Ом поставить. Драйвер хуже работает на нагрузку (через емкости выходников), особенно если пар мало.

проблемы с паразитными индуктивностями в хорошем лейауте начинаются с десятки МГц, поэтому ну его нафиг, 4-5Мгц Ft мне достаточно

Это сообщение отредактировал ДмитрийЗл - 30.01.2017 - 17:14

Можно еще прояснить один момент?
Ты говоришь у LAPT емкости сильно гуляют, какие емкости? Сбэ? Я так понял ты про них, усиление по току (и полюс ОК/сквозное прохождение с драйвера) по идее от них зависит. Ты об этом?

Ну ты вопросы задаешь! Я тебе что, технолог полупроводников?
Давай разбираться.
По идее Cbe состоит (грубо) из двух частей, барьерная емкость и диффузионная емкость. �менно вторая сильно зависит от тока.
Ccb (опять же грубо) это только барьерная, т.е. зависимость от тока небольшая, только от напряжения. Она, значит, отпадает.

LAPT - многоэмиттерная структура, много (вроде читал где-то, что около 50) тонких, сравнительно высокоомных нарезок.
Вполне возможно (не уверен точно), что именно по этому диффуз. емкость на небольших токах сильно больше, тока на каждый участок попадает мало, рассасывается заряд долго.
С ростом тока это дело выправляется и емкость значительно уменьшается -> растет ft
т.е. на совсем низких токах Cbe получается даже больше, чем у одноэмиттерных, и быстро падает с током.

Все сугубо домыслы

Это сообщение отредактировал ДмитрийЗл - 30.01.2017 - 19:24

Кое-какие мысли по поводу 1380/3502..
В даташите есть график беты от тока. Как бы проверить это дело?
Есть мысль подавать токовую пилу на базу через резисторный источник тока. Выходной ток снимать небольшим резистором (можно каскод, там большой ошибки не будет) и все это в двухканальный осцил. Масштабируем кривые вход/выход и получаем визуальный контроль линейности этой зависимости (совпадение фронтов пилы).
Кристалл у них небольшой, нагревается быстро, поэтому частота нужна довольно высокая, порядка десятков килогерц �М. Но там емкость Cбэ, которая будет искажать результат. Может быть, я неправильно себе представляю, конечно...
Что скажешь?

Это сообщение отредактировал Юрий Сергеевич - 2.02.2017 - 14:10

Ты хочешь смотреть ровность беты, или увидеть, с какого тока она падает?

Постоянкой смотришь, где бета начинает падать, при каком токе. На минимальном напряжении данной схемы (где-то разница между питаниями УНа и мощной части)
Этого по идее достаточно.
Только теплоотвод нужен хороший. У них где-то 10° на Ватт при идеальном теплоотводе.

Ровность беты - не знаю даже, в твоем методе треугольником можно приблизительно прикинуть, но думаю ничего точного ты там не высмотришь. Увидишь только, где треугольник начнет закруглятся, но это можно определить и постоянкой.

Ровность беты хотя бы до 20 мА/3..5V.
А что это я и вправду?.. 20мА 5В это 100мВт. 10Вт/С*0,1=1С. Можно и постоянкой.

А предсказать где будет завал ft(Ic) не при 30В, а при 5В как-то можно хотя бы приблизительно? Там график дан при 30В.

Это сообщение отредактировал Юрий Сергеевич - 2.02.2017 - 16:29

На вход синус мегагерц(константа) и постоянку (регулируем ток покоя)
На выходе смотрим бету при разных токах.
Небольшие проблемки имеются, модуляция Ic должна быть небольшая, несколько процентов, но и не слишком низкая, чтоб замерить можно было.
� Vcb будет немного менятся, из-за изменения Vbe постоянкой

Приблизительно - посмотреть разницу емкостей на 5 и 30 вольт.
где-то так же будет менятся и ft
Плюс минус 3дБ

Это сообщение отредактировал ДмитрийЗл - 2.02.2017 - 16:57

Мегагерц... нам-то токовое управление нужно... наверное, я прикину и попробую на работе, когда отпуск закончится))).

________________________________
Слушай, это ж получается стандартная проверка полоса*усиление от тока.. чего-то не то: там другие вещи уже начнут вылазить.
___________________
А... это уже было про ft? Тогда все понятно!

Это сообщение отредактировал Юрий Сергеевич - 2.02.2017 - 17:19

ну так вставь сопротивление в базу. и дифф-щупом с него входной ток
Короче, нафиг оно не надо. Прикинул соотношение емкостей на разных напряжениях - и готово

Ты имеешь в виду верхний горб на графике (перегиб) сместится с пропорциональностью примерно равной емкостям при разных напряжениях, так?
Блин, опять не по русски написал, но ясно вроде))

Это сообщение отредактировал Юрий Сергеевич - 2.02.2017 - 17:24

да, где-то так

-----------------
Хотя нет, не совсем.
Подъем останется почти неизменным, .... просто падать начнет раньше....
частота начала падения сдвинется пропорционально соотношению емкости

Это сообщение отредактировал ДмитрийЗл - 2.02.2017 - 17:42

Угу, я так и понял.

Это сообщение отредактировал Юрий Сергеевич - 2.02.2017 - 22:21

Вот схема для Ft, что скажешь?

img-4284-e9daec9799.GIF
Немного поясню, чтобы время тебе сэкономить. R4 источник тока. Генератор 50 Ом. Схема смещения такая, чтобы сильно не шунтировать R4. R10,11 чтобы ток VТ3 стабилизировать хотя бы руками, ну и добавить его, когда нужно (входное зависит от тока, а VT3 это схема КЗ). Повторитель, чтобы на 50 Ом нагрузить... вообще U2000 измеряет от 1nW (так на нем написано), но, думаю, лучше так. Кондерчики 47n на полигон/ВЧ землю. Всё, что возможно, естественно, SMD. Ну вот..
Я прошу прощения у админа, что все в одной теме, но, как показывает практика, обсуждение УМ всегда разваливается на много кусков, такая специфика. Что касается измерителя на схеме, так и быть, после сборки (надеюсь, что будет работать) оформлю отдельную ветку с платой и подробным описанием, т.к. это тема актуальная, но, по определенным причинам, "колючая".

Это сообщение отредактировал Юрий Сергеевич - 20.02.2017 - 14:03

R10, 11, С6 нагрузять VTM дополнительно.
Его Ic не весь пойдет в каскод.

Загони VD1 в эмиттер VTM, С8 туда же. � режим V3 будет довольно стабильным, не надо будет ничего подстраивать
R10/11, C6 фтопку.

R9 - номинал попроще, чтоб считать было удобней - 100 ом?

На счет всего в целом - не знаю, вымеряешь ли ты так точный номинал ft - но по крайней мере найдешь, где он начнет падать

Протупил я, спасибо!
R9..
Допустим 1ма в покое. Пусть ВЧ выходной ток 20% - 200 мкА амплитуды. 4 мкВт на 50 Ом на выходе... ну да, нормально в принципе; такие уровни уже стабильно измеримы.

Ну точно-то мне и не надо, примерно прикинуть-что внутри корпуса и где перегиб.

Так, стоп! Это же получается... ничего не получается, просто постоянная добавка к току резистора в эмиттере VTM. ??

да, получается
постояный ток задавать надо подругому.
По моему проще зафиксировать эмиттер и менять потенциал на базе, верх R7

Можно и так. Поверчу. Я уже придумал вообще-то..
Эмиттер, кстати, зафиксирован (потенциал) в обоих случаях. �ли ты хочешь вообще на землю посадить? Геморно это будет, �М.

img-4286-8416c36db5.jpg
А вот в R10 ток почти не ответвляется (в симуляторе), но ответвляется в базу VT3 10% примерно. Оно и понятно, где меньше сопротивление (эмиттер), туда ток и бежит, вроде так. Модели брал вс546. В принципе работает: на 10 МГц усиление получилось 18.5. Но это в симуляторе, а для таких схемок симулятор не конечный судья .

Это сообщение отредактировал Юрий Сергеевич - 21.02.2017 - 22:42

да, если делать с каскодом, то его фт должен быть на порядок выше DUTa, иначе в базу каскода убежит много.